Почему нам нужно защищать полевые МОП-транзисторы? - Справочник по компьютерам и ноутбукам

Содержание

- Что такое защита MOSFET?
- Чем полезны полевые МОП-транзисторы?
- Как мы можем защитить MOSFET от перегрузки по току?
- Как вы обращаетесь с полевым МОП-транзистором?
- Каковы преимущества и недостатки MOSFET?
- Что особенного в MOSFET?
- Почему MOSFET лучше транзистора?
- Зачем нужен диод в MOSFET?
- Как предотвратить выход из строя полевого МОП-транзистора?
- Полевые МОП-транзисторы выходят из строя или открываются?

МОП-транзисторы - это хрупкие устройства, которые легко разрушить. Так что с ними нужно обращаться осторожно. Более того, их никогда нельзя подключать или отключать при включенном питании.

Что такое защита MOSFET?

Схема защиты на кристалле отключает силовой полевой МОП-транзистор в случае, если ток стока превышает 7 А (типично) или температура перехода превышает 165 ° C (типично), и удерживает его в выключенном состоянии до тех пор, пока на входе не будет установлен низкий уровень.

Чем полезны полевые МОП-транзисторы?

МОП-транзисторы особенно полезны в усилителях из-за чтобы их входное сопротивление было почти бесконечным что позволяет усилителю улавливать почти весь входящий сигнал. Основное преимущество состоит в том, что он почти не требует входного тока для управления током нагрузки по сравнению с биполярными транзисторами.

Как мы можем защитить MOSFET от перегрузки по току?

В схеме есть полевой МОП-транзистор, который переключается на короткое замыкание, вызывая быстрорастущие события перегрузки по току. Схема защиты использует небольшой интегрированный детектор перегрузки по току (OCD) для обеспечения быстродействующего помехоустойчивого сигнала перегрузки по току. Этот сигнал обеспечивает быстрое отключение полевого МОП-транзистора и надежную защиту.

Как вы обращаетесь с полевым МОП-транзистором?

Не вынимайте полевой МОП-транзистор из антистатического пакета, пока не будете готовы установить его на печатную плату, а затем всегда используйте его. заземленный статический браслет и / или статический коврик при работе с полевым МОП-транзистором. Не прикасайтесь к терминалу ворот. (См. Вывод MOSFET на последней странице этого документа.)

Каковы преимущества и недостатки MOSFET?

Преимущества и недостатки MOSFET

Возможность уменьшения размера.
Он имеет низкое энергопотребление, что позволяет разместить больше компонентов на площади поверхности кристалла.
MOSFET не имеет затворного диода. ...
Он читается напрямую с очень тонкой активной областью.
У них высокое сопротивление слива из-за меньшего сопротивления канала.

Что особенного в MOSFET?

Полевой транзистор MOSFET или полупроводниковый оксид металла, форма полевого транзистора с чрезвычайно высоким входным сопротивлением. Вход затвора имеет оксидный слой, изолирующий его от канала, и в результате его входное сопротивление составляет очень много МОм.

Почему MOSFET лучше транзистора?

MOSFET - это намного быстрее чем bjt потому что в МОП-транзисторах текущими являются только основные операторы связи. устройство переключается намного быстрее, чем bjt, и поэтому используется для переключения питания smps. ... что делает МОП-транзистор идеальным для схем усилителей. MOSFET-транзисторы менее шумны, чем BJTS.

Зачем нужен диод в MOSFET?

Как следствие структуры MOSFET, основной диод образован pn переходом между истоком и стоком, и также называется паразитным диодом или внутренним диодом. Характеристики внутреннего диода - один из важных параметров полевого МОП-транзистора, который важен при использовании полевого МОП-транзистора в приложении.

Как предотвратить выход из строя полевого МОП-транзистора?

(1) Делайте провода как можно более толстыми и короткими, чтобы уменьшить индуктивность проводов, по которым проходит основной ток. (2) Увеличьте значение резистора затвора выключения для уменьшения скорости выключения полевого МОП-транзистора с целью уменьшения du / dt во время выключения и подавления скачков напряжения.

Полевые МОП-транзисторы выходят из строя или открываются?

Как правило, МОП-транзистор сначала выйдет из строя. Это связано с тем, что чрезмерное тепло за счет диффузии будет смешивать легирующие примеси в достаточной степени, чтобы создать хороший проводник вместо барьеров p-n или n-p, которые были изначально. Часто оксид затвора также участвует в диффузии, вызывая короткое замыкание между всеми тремя выводами.

Интересные материалы: